Réalisation d’implanteurs ioniques R&D
Les implanteurs que nous concevons pour la Recherche et Développement sont réalisés sur mesure, tout comme toutes les autres machines spéciales proposées par notre entreprise. Cette approche permet aux chercheurs d'obtenir un équipement parfaitement adapté à leurs besoins et à leurs objectifs de recherche.
La réalisation d'implanteurs ioniques R&D pour le dopage de semi-conducteurs ou toute autre application requiert un savoir-faire spécifique, que nous maîtrisons parfaitement et que nous avons consolidé au cours des 20 dernières années. Nous proposons des implanteurs ioniques entièrement personnalisés, conçus sur mesure pour répondre aux besoins spécifiques de nos clients.
Implanteur R&D modulable en énergie, AMU, type de source, chambre, etc...
- Energie : 1-300 KV
- AMU : Jusqu’à 250, résolution > 1000
- Courant faisceau > 10mA (selon les espèces)
- Source : tout type de gaz, liquide, solide (de 50°C à 1100°C), sputtering
- Balayage et focalisation électrostatique, magnétique ou mécanique
- Porte-substrat chauffant ou refroidit, orientable
- Electrode mécanisé jusqu’à 3 axes
- Supervision et contrôle sur PC (LabVIEW)
Nous maîtrisons également différents types de sources d’ions que nous utilisons en fonction des projets et des applications :
- Source type Freeman
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Source type Bernas
- Source type ELS
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Source sputtering
- Source type Penning